TMP10N65A Todos los transistores

 

TMP10N65A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TMP10N65A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 198 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 36 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 44 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 156 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.82 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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TMP10N65A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:607K  trinnotech
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TMP10N65A

TMP10N65A(G)/TMPF10N65A(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 9.5A

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TMP10N65A

TMP10N65/TMPF10N65 TMP10N65G/TMPF10N65G VDSS = 715 V @Tjmax Features ID = 9.5A Low gate charge RDS(on) = 0.98 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP10N65 / TMPF10N65 TO-220 / TO-220F TMP10N65 / TMPF10N65 RoHS TMP10N

 6.2. Size:340K  cn wuxi unigroup
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TMP10N65A

TMA10N65H, TMP10N65H Wuxi Unigroup Microelectronics Company 650V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking TMA10N65H TO-220F A1

 7.1. Size:609K  trinnotech
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TMP10N65A

TMP10N60A(G)/TMPF10N60A(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 10A

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History: HSM3056 | IPP080N03LG | FS50ASJ-03F

 

 
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