TMP11N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TMP11N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 158 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 28 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.67 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TMP11N50

TMP11N50 Datasheet (PDF)

..1. Size:353K trinnotech
tmp11n50 tmpf11n50.pdf

TMP11N50/TMPF11N50TMP11N50G/TMPF11N50GVDSS = 550 V @TjmaxFeaturesID = 11A Low gate chargeRDS(ON) = 0.67 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Fast reverse recovery DGSDevice Package Marking RemarkTMP11N50 / TMPF11N50 TO-220 / TO-220F TMP11N50 / TMPF11N50

0.1. Size:340K trinnotech
tmp11n50sg tmpf11n50sg.pdf

TMP11N50SG/TMPF11N50SGVDSS = 550 V @TjmaxFeaturesID = 10A Low gate chargeRDS(ON) = 0.7 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Fast reverse recovery DGSDevice Package Marking RemarkTMP11N50SG / TMPF11N50SG TO-220 / TO-220F TMP11N50SG / TMPF11N50SG Halogen Fre

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History: APT30M40JVR

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: