TMP11N50 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: TMP11N50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 158 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.67 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для TMP11N50
TMP11N50 Datasheet (PDF)
tmp11n50 tmpf11n50.pdf
TMP11N50/TMPF11N50TMP11N50G/TMPF11N50GVDSS = 550 V @TjmaxFeaturesID = 11A Low gate chargeRDS(ON) = 0.67 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Fast reverse recovery DGSDevice Package Marking RemarkTMP11N50 / TMPF11N50 TO-220 / TO-220F TMP11N50 / TMPF11N50
tmp11n50sg tmpf11n50sg.pdf
TMP11N50SG/TMPF11N50SGVDSS = 550 V @TjmaxFeaturesID = 10A Low gate chargeRDS(ON) = 0.7 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Fast reverse recovery DGSDevice Package Marking RemarkTMP11N50SG / TMPF11N50SG TO-220 / TO-220F TMP11N50SG / TMPF11N50SG Halogen Fre
Другие MOSFET... TMD8N25Z , TMD8N50Z , TMD8N60AZ , TMP10N60 , TMP10N60A , TMP10N65 , TMP10N65A , TMP10N80 , 4435 , TMP11N50SG , TMP12N60 , TMP12N60A , TMP13N50 , TMP15N50 , TMP16N25Z , TMP16N60 , TMP16N60A .
History: FQP22N30 | CS2N100P | SL4407A | CS2N100U
History: FQP22N30 | CS2N100P | SL4407A | CS2N100U
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM610MN | AGM610M | AGM60P90D | AGM60P90A | AGM60P85E | AGM60P85D | AGM60P85AP | AGM60P40D | AGM60P40A | AGM60P35F | AGM60P30D | AGM60P30C | AGM60P30AP | AGM60P30A | AGM406MNQ | AGM406MNA
Popular searches
j201 datasheet | 2n5088 datasheet | irfp064n | tip31 transistor | 2sc1384 | mj21196g | irfb4115 | 21270 transistor



