TMP2N65AZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TMP2N65AZ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.6 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de TMP2N65AZ MOSFET
TMP2N65AZ Datasheet (PDF)
tmp2n65az tmpf2n65az.pdf
TMP2N65AZ(G)/TMPF2N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 1.8A
tmp2n60z tmpf2n60z.pdf
TMP2N60Z(G)/TMPF2N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 2A
tmp2n60az tmpf2n60az.pdf
TMP2N60AZ(G)/TMPF2N60AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 2.0A
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History: NTTFS016N06C | IPN80R1K2P7 | SWD70N10V | IPP034N08N5 | RD3L080SN | WPM3005 | SFG150N10KF
History: NTTFS016N06C | IPN80R1K2P7 | SWD70N10V | IPP034N08N5 | RD3L080SN | WPM3005 | SFG150N10KF
Liste
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