Справочник MOSFET. TMP2N65AZ

 

TMP2N65AZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMP2N65AZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для TMP2N65AZ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMP2N65AZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:604K  trinnotech
 tmp2n65az tmpf2n65az.pdf pdf_icon

TMP2N65AZ

TMP2N65AZ(G)/TMPF2N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 1.8A

 8.1. Size:627K  trinnotech
 tmp2n60z tmpf2n60z.pdf pdf_icon

TMP2N65AZ

TMP2N60Z(G)/TMPF2N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 2A

 8.2. Size:609K  trinnotech
 tmp2n60az tmpf2n60az.pdf pdf_icon

TMP2N65AZ

TMP2N60AZ(G)/TMPF2N60AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 2.0A

Другие MOSFET... TMP16N25Z , TMP16N60 , TMP16N60A , TMP18N20Z , TMP20N50 , TMP20N50A , TMP2N60AZ , TMP2N60Z , IRFP250 , TMP3N50AZ , TMP3N50Z , TMP3N80 , TMP3N90 , TMP4N60 , TMP4N60AZ , TMP4N65 , TMP4N65AZ .

 

 
Back to Top

 


 
.