TMP7N65AZ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TMP7N65AZ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 103 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
Encapsulados: TO-220
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TMP7N65AZ datasheet
tmp7n65az tmpf7n65az.pdf
TMP7N65AZ(G)/TMPF7N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 6.5A
tmp7n65z tmpf7n65z.pdf
TMP7N65Z(G)/TMPF7N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 6.5A
tma7n65h tmp7n65h tmd7n65h tmu7n65h.pdf
TMA7N65H, TMP7N65H, TMD7N65H, TMU7N65H Wuxi Unigroup Microelectronics Company 650V N-Channel MOSFET FEATURES l Fast switching l 100% avalanche tested l Improved dv/dt capability APPLICATIONS l Switch Mode Power Supply (SMPS) l Uninterruptible Power Supply (UPS) l Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking TMA7N65H TO-220F A7N65H TM
tmp7n60z tmpf7n60z.pdf
TMP7N60Z(G)/TMPF7N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 7A
Otros transistores... TMP5N50 , TMP5N50SG , TMP5N60AZ , TMP5N60Z , TMP630Z , TMP6N65 , TMP6N70 , TMP7N60Z , IRFZ24N , TMP7N65Z , TMP7N90 , TMP830 , TMP830AZ , TMP830Z , TMP8N25Z , TMP8N50Z , TMP8N60AZ .
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