TMP8N80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TMP8N80
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 146 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de TMP8N80 MOSFET
TMP8N80 Datasheet (PDF)
tmp8n80 tmpf8n80.pdf
TMP8N80(G)/TMPF8N80(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 800V 8A
tmp8n60az tmpf8n60az.pdf
TMP8N60AZ(G)/TMPF8N60AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 7.5A
tmp8n50z tmpf8n50z.pdf
TMP8N50Z(G)/TMPF8N50Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 8A
tmp8n25z tmpf8n25z.pdf
TMP8N25Z(G)/TMPF8N25Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 250V 8A
Otros transistores... TMP7N65Z , TMP7N90 , TMP830 , TMP830AZ , TMP830Z , TMP8N25Z , TMP8N50Z , TMP8N60AZ , IRF830 , TMP9N50 , TMP9N50S , TMP9N60 , TMP9N70 , TMP9N90 , TMPF10N60 , TMPF10N60A , TMPF10N65 .
History: JMSH1506AE7
History: JMSH1506AE7
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