TMP9N50S Todos los transistores

 

TMP9N50S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TMP9N50S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 127 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm

Encapsulados: TO-220

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TMP9N50S datasheet

 ..1. Size:619K  trinnotech
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TMP9N50S

TMP9N50S(G)/TMPF9N50S(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 8.5A

 7.1. Size:333K  trinnotech
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TMP9N50S

TMP9N50/TMPF9N50 TMP9N50G/TMPF9N50G VDSS = 550 V @Tjmax Features ID = 9A Low gate charge RDS(on) = 0.85 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP9N50 / TMPF9N50 TO-220 / TO-220F TMP9N50 / TMPF9N50 RoHS TMP9N50G / TMPF9N50G TO-220 / T

 9.1. Size:403K  trinnotech
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TMP9N50S

TMP9N90/TMPF9N90 TMP9N90G/TMPF9N90G VDSS = 990 V @Tjmax Features ID = 9A Low gate charge RDS(ON) = 1.4 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP9N90 / TMPF9N90 TO-220 / TO-220F TMP9N90 / TMPF9N90 RoHS TMP9N90G / TMPF9N

 9.2. Size:609K  trinnotech
 tmp9n70 tmpf9n70.pdf pdf_icon

TMP9N50S

TMP9N70(G)/TMPF9N70(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 700V 9A

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