TMPF10N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TMPF10N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm
Encapsulados: TO-220F
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TMPF10N60 datasheet
tmp10n60 tmpf10n60.pdf
TMP10N60/TMPF10N60 TMP10N60G/TMPF10N60G VDSS = 660 V @Tjmax Features ID = 10A Low gate charge RDS(on) = 0.75 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP10N60 / TMPF10N60 TO-220 / TO-220F TMP10N60 / TMPF10N60 RoHS TMP10N60G / TMPF10N60G
tmp10n60a tmpf10n60a.pdf
TMP10N60A(G)/TMPF10N60A(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 10A
tmp10n65 tmpf10n65.pdf
TMP10N65/TMPF10N65 TMP10N65G/TMPF10N65G VDSS = 715 V @Tjmax Features ID = 9.5A Low gate charge RDS(on) = 0.98 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP10N65 / TMPF10N65 TO-220 / TO-220F TMP10N65 / TMPF10N65 RoHS TMP10N
tmp10n65a tmpf10n65a.pdf
TMP10N65A(G)/TMPF10N65A(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 9.5A
Otros transistores... TMP8N50Z , TMP8N60AZ , TMP8N80 , TMP9N50 , TMP9N50S , TMP9N60 , TMP9N70 , TMP9N90 , IRFB7545 , TMPF10N60A , TMPF10N65 , TMPF10N65A , TMPF10N80 , TMPF11N50 , TMPF11N50SG , TMPF12N60 , TMPF12N60A .
History: AP4036AGM-HF | KO3409
History: AP4036AGM-HF | KO3409
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