TMPF10N65 Todos los transistores

 

TMPF10N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TMPF10N65
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 203 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.98 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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TMPF10N65 Datasheet (PDF)

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TMPF10N65

TMP10N65/TMPF10N65 TMP10N65G/TMPF10N65G VDSS = 715 V @Tjmax Features ID = 9.5A Low gate charge RDS(on) = 0.98 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP10N65 / TMPF10N65 TO-220 / TO-220F TMP10N65 / TMPF10N65 RoHS TMP10N

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TMPF10N65

TMP10N65A(G)/TMPF10N65A(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 9.5A

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TMPF10N65

TMP10N60A(G)/TMPF10N60A(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 10A

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TMPF10N65

TMP10N60/TMPF10N60TMP10N60G/TMPF10N60GVDSS = 660 V @TjmaxFeaturesID = 10A Low gate chargeRDS(on) = 0.75 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC QualificationDGSDevice Package Marking RemarkTMP10N60 / TMPF10N60 TO-220 / TO-220F TMP10N60 / TMPF10N60 RoHSTMP10N60G / TMPF10N60G

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History: FSS130D | FX70SMJ-03

 

 
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