TMPF12N60 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TMPF12N60  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 53 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 53 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 185 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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TMPF12N60 datasheet

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TMPF12N60

TMP12N60/TMPF12N60 TMP12N60G/TMPF12N60G VDSS = 660 V @Tjmax Features ID = 12A Low gate charge RDS(on) = 0.65 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP12N60 / TMPF12N60 TO-220 / TO-220F TMP12N60 / TMPF12N60 RoHS TMP12N60G / TMPF12N60G

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tmp12n60a tmpf12n60a.pdf pdf_icon

TMPF12N60

TMP12N60A(G)/TMPF12N60A(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 12A

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tmp10n80 tmpf10n80.pdf pdf_icon

TMPF12N60

TMP10N80/TMPF10N80 TMP10N80G/TMPF10N80G VDSS = 880 V @Tjmax Features ID = 9.5A Low gate charge RDS(ON) = 1.05 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP10N80 / TMPF10N80 TO-220 / TO-220F TMP10N80 / TMPF10N80 RoHS TMP10N

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tmp16n25z tmpf16n25z.pdf pdf_icon

TMPF12N60

TMP16N25Z(G)/TMPF16N25Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 250V 16A

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