TMPF5N60AZ Todos los transistores

 

TMPF5N60AZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TMPF5N60AZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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TMPF5N60AZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:610K  trinnotech
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TMPF5N60AZ

TMP5N60AZ(G)/TMPF5N60AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 4.2A

 6.1. Size:615K  trinnotech
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TMPF5N60AZ

TMP5N60Z(G)/TMPF5N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 4.2A

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TMPF5N60AZ

TMP5N50SG/TMPF5N50SGVDSS = 550 V @TjmaxFeaturesID = 4A Low gate chargeRDS(ON) = 1.85 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Fast reverse recovery DGSDevice Package Marking RemarkTMP5N50SG / TMPF5N50SG TO-220 / TO-220F TMP5N50SG / TMPF5N50SG Halogen FreeAbs

 8.2. Size:347K  trinnotech
 tmp5n50 tmpf5n50.pdf pdf_icon

TMPF5N60AZ

TMP5N50/TMPF5N50TMP5N50G/TMPF5N50GFeaturesVDSS = 550 V @Tjmax Low gate chargeID = 4.5A 100% avalanche testedRDS(ON) = 1.65 W(max) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Fast reverse recovery DGSDevice Package Marking RemarkTMP5N50 / TMPF5N50 TO-220 / TO-220F TMP5N50 / TMPF5N50 RoHST

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History: WNMD2174 | SIZ710DT | SI7358ADP | NCE20PD05 | SFP035N95C3 | IRLI3705NPBF | IRLB3034

 

 
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