TMPF8N25Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TMPF8N25Z
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 17.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 74 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TMPF8N25Z
TMPF8N25Z Datasheet (PDF)
tmp8n25z tmpf8n25z.pdf
TMP8N25Z(G)/TMPF8N25Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 250V 8A
tmp8n60az tmpf8n60az.pdf
TMP8N60AZ(G)/TMPF8N60AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 7.5A
tmp8n50z tmpf8n50z.pdf
TMP8N50Z(G)/TMPF8N50Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 8A
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TMP8N80(G)/TMPF8N80(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 800V 8A
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Liste
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