TMPF8N25Z datasheet, аналоги, параметры транзистора

TMPF8N25Z datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TMPF8N25Z 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 74 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для TMPF8N25Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:603K trinnotech
tmp8n25z tmpf8n25z.pdf pdf_icon

TMP8N25Z(G)/TMPF8N25Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 250V 8A

8.1. Size:625K trinnotech
tmp8n60az tmpf8n60az.pdf pdf_icon

TMP8N60AZ(G)/TMPF8N60AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 7.5A

8.2. Size:605K trinnotech
tmp8n50z tmpf8n50z.pdf pdf_icon

TMP8N50Z(G)/TMPF8N50Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 8A

8.3. Size:1284K trinnotech
tmp8n80 tmpf8n80.pdf pdf_icon

TMP8N80(G)/TMPF8N80(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 800V 8A