TMPF8N50Z Todos los transistores

 

TMPF8N50Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TMPF8N50Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 21 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 132 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

 Búsqueda de reemplazo de TMPF8N50Z MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TMPF8N50Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:605K  trinnotech
 tmp8n50z tmpf8n50z.pdf pdf_icon

TMPF8N50Z

TMP8N50Z(G)/TMPF8N50Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 8A

 8.1. Size:625K  trinnotech
 tmp8n60az tmpf8n60az.pdf pdf_icon

TMPF8N50Z

TMP8N60AZ(G)/TMPF8N60AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 7.5A

 8.2. Size:603K  trinnotech
 tmp8n25z tmpf8n25z.pdf pdf_icon

TMPF8N50Z

TMP8N25Z(G)/TMPF8N25Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 250V 8A

 8.3. Size:1284K  trinnotech
 tmp8n80 tmpf8n80.pdf pdf_icon

TMPF8N50Z

TMP8N80(G)/TMPF8N80(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 800V 8A

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... TMPF7N60Z , TMPF7N65AZ , TMPF7N65Z , TMPF7N90 , TMPF830 , TMPF830AZ , TMPF830Z , TMPF8N25Z , 5N60 , TMPF8N60AZ , TMPF8N80 , TMPF9N50 , TMPF9N50S , TMPF9N60 , TMPF9N70 , TMPF9N90 , TMT2N40G .

History: APT5020BLC

 

 
Back to Top

 


 
.