TMPF9N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TMPF9N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 51.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 123 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TMPF9N60

TMPF9N60 Datasheet (PDF)

..1. Size:347K trinnotech
tmp9n60 tmpf9n60.pdf

TMP9N60/TMPF9N60TMP9N60G/TMPF9N60GVDSS = 660 V @TjmaxFeaturesID = 9A Low gate chargeRDS(ON) = 1.0 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Fast reverse recovery DGSDevice Package Marking RemarkTMP9N60 / TMPF9N60 TO-220 / TO-220F TMP9N60 / TMPF9N60 RoHSTMP9

8.1. Size:403K trinnotech
tmp9n90 tmpf9n90.pdf

TMP9N90/TMPF9N90 TMP9N90G/TMPF9N90G VDSS = 990 V @Tjmax Features ID = 9A Low gate charge RDS(ON) = 1.4 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP9N90 / TMPF9N90 TO-220 / TO-220F TMP9N90 / TMPF9N90 RoHS TMP9N90G / TMPF9N

8.2. Size:333K trinnotech
tmp9n50 tmpf9n50.pdf

TMP9N50/TMPF9N50TMP9N50G/TMPF9N50GVDSS = 550 V @TjmaxFeaturesID = 9A Low gate chargeRDS(on) = 0.85 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC QualificationDGSDevice Package Marking RemarkTMP9N50 / TMPF9N50 TO-220 / TO-220F TMP9N50 / TMPF9N50 RoHSTMP9N50G / TMPF9N50G TO-220 / T

8.3. Size:609K trinnotech
tmp9n70 tmpf9n70.pdf