TMPF9N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: TMPF9N60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 51.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 123 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для TMPF9N60
TMPF9N60 Datasheet (PDF)
tmp9n60 tmpf9n60.pdf

TMP9N60/TMPF9N60TMP9N60G/TMPF9N60GVDSS = 660 V @TjmaxFeaturesID = 9A Low gate chargeRDS(ON) = 1.0 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Fast reverse recovery DGSDevice Package Marking RemarkTMP9N60 / TMPF9N60 TO-220 / TO-220F TMP9N60 / TMPF9N60 RoHSTMP9
tmp9n90 tmpf9n90.pdf

TMP9N90/TMPF9N90 TMP9N90G/TMPF9N90G VDSS = 990 V @Tjmax Features ID = 9A Low gate charge RDS(ON) = 1.4 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP9N90 / TMPF9N90 TO-220 / TO-220F TMP9N90 / TMPF9N90 RoHS TMP9N90G / TMPF9N
tmp9n50 tmpf9n50.pdf

TMP9N50/TMPF9N50TMP9N50G/TMPF9N50GVDSS = 550 V @TjmaxFeaturesID = 9A Low gate chargeRDS(on) = 0.85 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC QualificationDGSDevice Package Marking RemarkTMP9N50 / TMPF9N50 TO-220 / TO-220F TMP9N50 / TMPF9N50 RoHSTMP9N50G / TMPF9N50G TO-220 / T
tmp9n70 tmpf9n70.pdf

TMP9N70(G)/TMPF9N70(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 700V 9A
Другие MOSFET... TMPF830AZ , TMPF830Z , TMPF8N25Z , TMPF8N50Z , TMPF8N60AZ , TMPF8N80 , TMPF9N50 , TMPF9N50S , AON7410 , TMPF9N70 , TMPF9N90 , TMT2N40G , TMT2N60ZG , TMT3N30G , TMT3N40ZG , TMU16N25Z , TMU18N20Z .
History: KCY3303S | EMB12P03G | TK10E60W | IRLML2502PBF-1 | WVM4N50 | SD5000N | TMU2N40
History: KCY3303S | EMB12P03G | TK10E60W | IRLML2502PBF-1 | WVM4N50 | SD5000N | TMU2N40



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
mp38a | bc546 transistor | bd243 | 2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent | tip31 | tip122 transistor | 2sc1079