TMU16N25Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TMU16N25Z
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 93.9 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 51 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 152 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm
Paquete / Cubierta: I-PAK
Búsqueda de reemplazo de TMU16N25Z MOSFET
TMU16N25Z Datasheet (PDF)
tmd16n25z tmu16n25z.pdf
TMD16N25Z(G)/TMU16N25Z(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 250V 16A
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History: APT6038BLL | TMU3N40ZG | TMU2N60AZ | TMU18N20Z | IXFN300N10P | TMU4N65Z | TMT3N30G
History: APT6038BLL | TMU3N40ZG | TMU2N60AZ | TMU18N20Z | IXFN300N10P | TMU4N65Z | TMT3N30G
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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