TMU16N25Z datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TMU16N25Z  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 93.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 152 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm

Тип корпуса: I-PAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для TMU16N25Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMU16N25Z даташит

 ..1. Size:471K  trinnotech
 tmd16n25z tmu16n25z.pdf pdf_icon

TMU16N25Z

TMD16N25Z(G)/TMU16N25Z(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 250V 16A

Другие IGBT... TMPF9N50S, TMPF9N60, TMPF9N70, TMPF9N90, TMT2N40G, TMT2N60ZG, TMT3N30G, TMT3N40ZG, IRF1010E, TMU18N20Z, TMU2N40, TMU2N60AZ, TMU2N60Z, TMU2N65AZ, TMU3N40ZG, TMU3N50AZ, TMU3N50Z