Справочник MOSFET. TMU16N25Z

 

TMU16N25Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMU16N25Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 93.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 152 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
   Тип корпуса: I-PAK
 

 Аналог (замена) для TMU16N25Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMU16N25Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:471K  trinnotech
 tmd16n25z tmu16n25z.pdf pdf_icon

TMU16N25Z

TMD16N25Z(G)/TMU16N25Z(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 250V 16A

Другие MOSFET... TMPF9N50S , TMPF9N60 , TMPF9N70 , TMPF9N90 , TMT2N40G , TMT2N60ZG , TMT3N30G , TMT3N40ZG , IRF530 , TMU18N20Z , TMU2N40 , TMU2N60AZ , TMU2N60Z , TMU2N65AZ , TMU3N40ZG , TMU3N50AZ , TMU3N50Z .

History: LRK7002WT1G | TSD10N06AT

 

 
Back to Top

 


 
.