TMU16N25Z - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: TMU16N25Z
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 93.9 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 152 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
Тип корпуса: I-PAK
Аналог (замена) для TMU16N25Z
TMU16N25Z Datasheet (PDF)
tmd16n25z tmu16n25z.pdf

TMD16N25Z(G)/TMU16N25Z(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 250V 16A
Другие MOSFET... TMPF9N50S , TMPF9N60 , TMPF9N70 , TMPF9N90 , TMT2N40G , TMT2N60ZG , TMT3N30G , TMT3N40ZG , IRF530 , TMU18N20Z , TMU2N40 , TMU2N60AZ , TMU2N60Z , TMU2N65AZ , TMU3N40ZG , TMU3N50AZ , TMU3N50Z .
History: IRL3705NLPBF | IRFS7734 | MTE65N20H8 | R6520KNZ1 | SSM6N48FU
History: IRL3705NLPBF | IRFS7734 | MTE65N20H8 | R6520KNZ1 | SSM6N48FU



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sc1079 | 2sc1815 equivalent | 2sa1220 | 2sa940 | 2sc627 | 2sc680 | 2sd234 | 2sc9014