TMU2N40 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TMU2N40
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.4 Ohm
Paquete / Cubierta: I-PAK
Búsqueda de reemplazo de TMU2N40 MOSFET
TMU2N40 Datasheet (PDF)
tmd2n40 tmu2n40.pdf
TMD2N40/TMU2N40TMD2N40G/TMU2N40GVDSS = 440 V @TjmaxFeaturesID = 2A Low gate chargeRDS(on) = 3.4 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche testedRDS(on) = 2.75 W(typ) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RDS(on) = 2.80 W(typ) @ VGS= 7.5 V RoHS compliant Halogen free package JEDEC QualificationD-PAKDI-PAKGSDevice Package Marking RemarkTMD2N40 /
tmd2n60z tmu2n60z.pdf
TMD2N60Z(G)/TMU2N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 2A
tmd2n60az tmu2n60az.pdf
TMD2N60AZ(G)/TMU2N60AZ(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 2.0A
tmd2n65az tmu2n65az.pdf
TMD2N65AZ(G)/TMU2N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 1.8A
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Liste
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