TMU3N80G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TMU3N80G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 94 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 800 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 3 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tiempo de subida (tr): 36 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 65 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 4.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: I-PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TMU3N80G

TMU3N80G Datasheet (PDF)

..1. Size:334K trinnotech
tmd3n80g tmu3n80g.pdf

TMD3N80G/TMU3N80GFeaturesVDSS = 880 V @Tjmax Low gate chargeID = 3A 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RDS(on) = 4.2 W(max) @ VGS= 10 V RoHS compliant Halogen free package JEDEC QualificationD-PAK DI-PAKGSDevice Package Marking RemarkTMD3N80G/TMU3N80G D-PAK/I-PAK TMD3N80G/TMU3N80G Halogen FreeAbsolute Maximum Ratings Parameter

9.1. Size:829K trinnotech
tmd3n90 tmu3n90.pdf

TMD3N90(G)/TMU3N90(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 900V 2.5A

9.2. Size:454K trinnotech
tmd3n50az tmu3n50az.pdf

TMD3N50AZ(G)/TMU3N50AZ(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 2.5A

9.3. Size:537K trinnotech
tmd3n40zg tmu3n40zg.pdf

TMD3N40ZG/TMU3N40ZGFeaturesVDSS = 440 V @Tjmax Low gate chargeID = 2A 100% avalanche testedRDS(on) = 3.4 W(max) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Improved ESD performanceDD-PAKI-PAKGSDevice Package Marking RemarkTMD3N40ZG/TMU3N40ZG D-PAK/I-PAK TMD3N40ZG/TMU3N40ZG Halogen Free

9.4. Size:467K trinnotech
tmd3n50z tmu3n50z.pdf