FMV07N50E Todos los transistores

 

FMV07N50E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FMV07N50E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

 Búsqueda de reemplazo de FMV07N50E MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FMV07N50E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:375K  fuji
fmv07n50e.pdf pdf_icon

FMV07N50E

FMV07N50E FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTO-220F(SLS)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (3.00.

Otros transistores... FMR28N50E , FMR28N50ES , FMV03N60E , FMV05N50E , FMV05N60E , FMV06N60E , FMV06N60ES , FMV06N90E , AON7408 , FMV08N50E , FMV09N90E , FMV10N60E , FMV10N80E , FMV11N60E , FMV11N90E , FMV12N50E , FMV12N50ES .

History: VBM165R18

 

 
Back to Top

 


History: VBM165R18

FMV07N50E
  FMV07N50E
  FMV07N50E
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AP70P03DF | AP70P03D | AP70P02D | AP70N12NF | AP70N12D | AP70N06HD | AP70N04NF | AP70N03NF | AP70N02NF | AP70N02DF | AP6P06MI | AP6P03SI | AP6N40D | AP6N12MI | AP6N10MI | AP5N10SI

 

 

 
Back to Top

 

Popular searches

2n3392 | 2n2369a | 2sc733 | a933 transistor | d209l | irfb4321 | 2n333 | c3852

 


 
.