FMV09N90E MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

FMV09N90E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FMV09N90E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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FMV09N90E datasheet

..1. Size:454K fuji
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FMV09N90E FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise TO-220F(SLS) Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate threshold voltage (4.0 0.

8.1. Size:240K inchange semiconductor
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INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor FMV09N70E FEATURES drain-source on-resistance RDS(on) 1.4 (max) Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching regulators UPS (Uninterruptible Power Supply) DC-DC converters ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

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