FMV10N60E Todos los transistores

 

FMV10N60E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FMV10N60E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.79 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

 Búsqueda de reemplazo de FMV10N60E MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FMV10N60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:495K  fuji
 fmv10n60e.pdf pdf_icon

FMV10N60E

FMV10N60E FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTO-220F(SLS)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (3.00.

 8.1. Size:364K  fuji
 fmv10n80e.pdf pdf_icon

FMV10N60E

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/FMV10N80E FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTO-220F(SLS)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingG

Otros transistores... FMV05N50E , FMV05N60E , FMV06N60E , FMV06N60ES , FMV06N90E , FMV07N50E , FMV08N50E , FMV09N90E , K3569 , FMV10N80E , FMV11N60E , FMV11N90E , FMV12N50E , FMV12N50ES , FMV12N60ES , FMV13N60E , FMV13N60ES .

History: KF3N80F | SLU70R600S2 | NDP708AE | 2SK2701 | YJG90G10A | EMF20B02V | APT5014B2LC

 

 
Back to Top

 


 
.