FMV10N60E - аналоги и даташиты транзистора

 

FMV10N60E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FMV10N60E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.79 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для FMV10N60E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMV10N60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:495K  fuji
 fmv10n60e.pdf pdf_icon

FMV10N60E

FMV10N60E FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTO-220F(SLS)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (3.00.

 8.1. Size:364K  fuji
 fmv10n80e.pdf pdf_icon

FMV10N60E

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/FMV10N80E FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTO-220F(SLS)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingG

Другие MOSFET... FMV05N50E , FMV05N60E , FMV06N60E , FMV06N60ES , FMV06N90E , FMV07N50E , FMV08N50E , FMV09N90E , K3569 , FMV10N80E , FMV11N60E , FMV11N90E , FMV12N50E , FMV12N50ES , FMV12N60ES , FMV13N60E , FMV13N60ES .

History: NCE0102 | EMF20B02V | KF3N80F | IRF6729MPBF | AP2307GN | APT5014B2LC

 

 
Back to Top

 


 
.