FMV10N60E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FMV10N60E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.79 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для FMV10N60E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMV10N60E даташит

 ..1. Size:495K  fuji
 fmv10n60e.pdf pdf_icon

FMV10N60E

FMV10N60E FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise TO-220F(SLS) Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate threshold voltage (3.0 0.

 8.1. Size:364K  fuji
 fmv10n80e.pdf pdf_icon

FMV10N60E

http //www.fujielectric.com/products/semiconductor/ FMV10N80E FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise TO-220F(SLS) Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching G

Другие IGBT... FMV05N50E, FMV05N60E, FMV06N60E, FMV06N60ES, FMV06N90E, FMV07N50E, FMV08N50E, FMV09N90E, IRF9540, FMV10N80E, FMV11N60E, FMV11N90E, FMV12N50E, FMV12N50ES, FMV12N60ES, FMV13N60E, FMV13N60ES