FMV19N60E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FMV19N60E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.365 Ohm

Encapsulados: TO-220F

 Búsqueda de reemplazo de FMV19N60E MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

FMV19N60E datasheet

 ..1. Size:466K  fuji
 fmv19n60e.pdf pdf_icon

FMV19N60E

FMV19N60E FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise TO-220F(SLS) Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate threshold voltage (3.0 0.

 0.1. Size:509K  fuji
 fmv19n60es.pdf pdf_icon

FMV19N60E

FMV19N60ES FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3S series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise TO-220F(SLS) Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate threshold voltage (4.2

Otros transistores... FMV12N60ES, FMV13N60E, FMV13N60ES, FMV16N50E, FMV16N50ES, FMV16N60E, FMV16N60ES, FMV17N60ES, K4145, FMV19N60ES, FMV20N50E, FMV20N50ES, FMV20N60S1, FMV21N50ES, FMV23N50ES, FMV24N25G, FMV30N60S1