FMV19N60E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FMV19N60E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 105 nC
trⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.365 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
FMV19N60E Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... FMV12N60ES , FMV13N60E , FMV13N60ES , FMV16N50E , FMV16N50ES , FMV16N60E , FMV16N60ES , FMV17N60ES , IRF1407 , FMV19N60ES , FMV20N50E , FMV20N50ES , FMV20N60S1 , FMV21N50ES , FMV23N50ES , FMV24N25G , FMV30N60S1 .
