FMW30N60S1HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FMW30N60S1HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 220 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 73 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 57 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4670 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FMW30N60S1HF

FMW30N60S1HF Datasheet (PDF)

..1. Size:527K fuji
fmw30n60s1hf.pdf

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..2. Size:213K inchange semiconductor
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INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor FMW30N60S1HFFEATURESWith TO-247 packagingWith low gate drive requirementsLow switching lossLow on-state resistanceEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

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Liste

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