FMW30N60S1HF Todos los transistores

 

FMW30N60S1HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FMW30N60S1HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 220 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 57 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4670 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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FMW30N60S1HF Datasheet (PDF)

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FMW30N60S1HF

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/FMW30N60S1HF FUJI POWER MOSFETSuper J-MOS series N-Channel enhancement mode power MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicLow on-state resistanceTO-247-P2Low switching losseasy to use (more controllabe switching dV/dt by R )gDrain(D)ApplicationsUPSServerGate(G)Telecom Source(S)

 ..2. Size:213K  inchange semiconductor
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FMW30N60S1HF

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor FMW30N60S1HFFEATURESWith TO-247 packagingWith low gate drive requirementsLow switching lossLow on-state resistanceEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

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History: UPA2718AGR | SPW21N50C3 | TPP70R950C | NCE50N1K8K | AM7930N | TPU65R940C | IRF7811WPBF

 

 
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