Справочник MOSFET. FMW30N60S1HF

 

FMW30N60S1HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FMW30N60S1HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 57 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4670 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для FMW30N60S1HF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMW30N60S1HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:527K  fuji
 fmw30n60s1hf.pdf pdf_icon

FMW30N60S1HF

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/FMW30N60S1HF FUJI POWER MOSFETSuper J-MOS series N-Channel enhancement mode power MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicLow on-state resistanceTO-247-P2Low switching losseasy to use (more controllabe switching dV/dt by R )gDrain(D)ApplicationsUPSServerGate(G)Telecom Source(S)

 ..2. Size:213K  inchange semiconductor
 fmw30n60s1hf.pdf pdf_icon

FMW30N60S1HF

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor FMW30N60S1HFFEATURESWith TO-247 packagingWith low gate drive requirementsLow switching lossLow on-state resistanceEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

Другие MOSFET... FMV20N50E , FMV20N50ES , FMV20N60S1 , FMV21N50ES , FMV23N50ES , FMV24N25G , FMV30N60S1 , FMW20N60S1HF , IRFP450 , FMW47N60S1HF , FMW79N60S1HF , FP10W50C , FP10W50VX2 , FP10W90 , FP10W90HVX2 , FP11W60C3 , FP20W50VX2 .

History: CJAB35P03 | PMV213SN | STP10N62K3 | STU330S | PMT29EN

 

 
Back to Top

 


 
.