FMW47N60S1HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FMW47N60S1HF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 390 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 47 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.5 V
Carga de la puerta (Qg): 125 nC
Tiempo de subida (tr): 83 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 8400 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.07 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FMW47N60S1HF
FMW47N60S1HF Datasheet (PDF)
fmw47n60s1hf.pdf
http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/FMW47N60S1HF FUJI POWER MOSFETSuper J-MOS series N-Channel enhancement mode power MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicLow on-state resistanceTO-247-P2Low switching losseasy to use (more controllabe switching dV/dt by R )gDrain(D)ApplicationsUPSServerGate(G)Telecom Source(S)
fmw47n60s1hf.pdf
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor FMW47N60S1HFFEATURESWith TO-247 packagingWith low gate drive requirementsLow switching lossLow on-state resistanceEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25
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