FP10W50C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FP10W50C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm

Encapsulados: ITO-3P

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FP10W50C datasheet

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FP10W50C

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FP10W50C

SHINDENGEN VX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement type OUTLINE DIMENSIONS 2SK2190 Case E-pack Case ITO-3P (Unit mm) (FP10W50VX2) 500V 10A FEATURES Input capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small. The static Rds(on) is small. The switching time is fast. APPLICATION Switching power supply of AC 100V input High vo

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FP10W50C

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FP10W50C

! SHINDENGEN HVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement type OUTLINE DIMENSIONS 2SK2677 Case ITO-3P (Unit mm) (FP10W90HVX2) 900V 10A FEATURES Input capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small. The static Rds(on) is small. The switching time is fast.

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