Справочник MOSFET. FP10W50C

 

FP10W50C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FP10W50C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: ITO-3P
 

 Аналог (замена) для FP10W50C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FP10W50C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:48K  shindengen
 2sk1696 fp10w50c.pdf pdf_icon

FP10W50C

 7.1. Size:263K  shindengen
 2sk2190 fp10w50vx2.pdf pdf_icon

FP10W50C

SHINDENGENVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement typeOUTLINE DIMENSIONS2SK2190Case : E-packCase : ITO-3P(Unit : mm)(FP10W50VX2)500V 10AFEATURESInput capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small.The static Rds(on) is small.The switching time is fast.APPLICATIONSwitching power supply of AC 100V inputHigh vo

 9.1. Size:49K  shindengen
 2sk1686 fp10w90.pdf pdf_icon

FP10W50C

 9.2. Size:435K  shindengen
 fp10w90hvx2.pdf pdf_icon

FP10W50C

!SHINDENGENHVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement typeOUTLINE DIMENSIONS2SK2677Case : ITO-3P(Unit : mm)(FP10W90HVX2)900V 10AFEATURESInput capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small.The static Rds(on) is small.The switching time is fast.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMV21N50ES , FMV23N50ES , FMV24N25G , FMV30N60S1 , FMW20N60S1HF , FMW30N60S1HF , FMW47N60S1HF , FMW79N60S1HF , IRF1407 , FP10W50VX2 , FP10W90 , FP10W90HVX2 , FP11W60C3 , FP20W50VX2 , FP20W60C3 , FP3W90 , FP5W90HVX2 .

History: NCE65NF036T4 | APT50M85B2VFRG | VS3618AH | VBZL45N03 | SVF14N65CFJ | IRF7862PBF | SUD19P06-60

 

 
Back to Top

 


 
.