Справочник MOSFET. FP10W50C

 

FP10W50C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FP10W50C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: ITO-3P

 Аналог (замена) для FP10W50C

 

 

FP10W50C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:48K  shindengen
 2sk1696 fp10w50c.pdf

FP10W50C

 7.1. Size:263K  shindengen
 2sk2190 fp10w50vx2.pdf

FP10W50C FP10W50C

SHINDENGENVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement typeOUTLINE DIMENSIONS2SK2190Case : E-packCase : ITO-3P(Unit : mm)(FP10W50VX2)500V 10AFEATURESInput capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small.The static Rds(on) is small.The switching time is fast.APPLICATIONSwitching power supply of AC 100V inputHigh vo

 9.1. Size:49K  shindengen
 2sk1686 fp10w90.pdf

FP10W50C

 9.2. Size:435K  shindengen
 fp10w90hvx2.pdf

FP10W50C FP10W50C

!SHINDENGENHVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement typeOUTLINE DIMENSIONS2SK2677Case : ITO-3P(Unit : mm)(FP10W90HVX2)900V 10AFEATURESInput capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small.The static Rds(on) is small.The switching time is fast.

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SSR3055LA

 

 
Back to Top