FP10W50C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FP10W50C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: ITO-3P

Аналог (замена) для FP10W50C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FP10W50C даташит

 ..1. Size:48K  shindengen
 2sk1696 fp10w50c.pdf pdf_icon

FP10W50C

 7.1. Size:263K  shindengen
 2sk2190 fp10w50vx2.pdf pdf_icon

FP10W50C

SHINDENGEN VX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement type OUTLINE DIMENSIONS 2SK2190 Case E-pack Case ITO-3P (Unit mm) (FP10W50VX2) 500V 10A FEATURES Input capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small. The static Rds(on) is small. The switching time is fast. APPLICATION Switching power supply of AC 100V input High vo

 9.1. Size:49K  shindengen
 2sk1686 fp10w90.pdf pdf_icon

FP10W50C

 9.2. Size:581K  shindengen
 fp10w90hvx2.pdf pdf_icon

FP10W50C

! SHINDENGEN HVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement type OUTLINE DIMENSIONS 2SK2677 Case ITO-3P (Unit mm) (FP10W90HVX2) 900V 10A FEATURES Input capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small. The static Rds(on) is small. The switching time is fast.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FMV21N50ES, FMV23N50ES, FMV24N25G, FMV30N60S1, FMW20N60S1HF, FMW30N60S1HF, FMW47N60S1HF, FMW79N60S1HF, IRFP450, FP10W50VX2, FP10W90, FP10W90HVX2, FP11W60C3, FP20W50VX2, FP20W60C3, FP3W90, FP5W90HVX2