FP10W50VX2 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

FP10W50VX2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FP10W50VX2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm

Encapsulados: ITO-3P

Búsqueda de reemplazo de FP10W50VX2 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

FP10W50VX2 datasheet

..1. Size:263K shindengen
2sk2190 fp10w50vx2.pdf pdf_icon

SHINDENGEN VX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement type OUTLINE DIMENSIONS 2SK2190 Case E-pack Case ITO-3P (Unit mm) (FP10W50VX2) 500V 10A FEATURES Input capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small. The static Rds(on) is small. The switching time is fast. APPLICATION Switching power supply of AC 100V input High vo

7.1. Size:48K shindengen
2sk1696 fp10w50c.pdf pdf_icon

9.1. Size:49K shindengen
2sk1686 fp10w90.pdf pdf_icon

9.2. Size:581K shindengen
fp10w90hvx2.pdf pdf_icon

! SHINDENGEN HVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement type OUTLINE DIMENSIONS 2SK2677 Case ITO-3P (Unit mm) (FP10W90HVX2) 900V 10A FEATURES Input capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small. The static Rds(on) is small. The switching time is fast.

Otros transistores... FMV23N50ES, FMV24N25G, FMV30N60S1, FMW20N60S1HF, FMW30N60S1HF, FMW47N60S1HF, FMW79N60S1HF, FP10W50C, TK10A60D, FP10W90, FP10W90HVX2, FP11W60C3, FP20W50VX2, FP20W60C3, FP3W90, FP5W90HVX2, FP7W90HVX2

FP10W50VX2 Todos los transistores