FP10W50VX2 Todos los transistores

 

FP10W50VX2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FP10W50VX2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: ITO-3P
 

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FP10W50VX2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:263K  shindengen
 2sk2190 fp10w50vx2.pdf pdf_icon

FP10W50VX2

SHINDENGENVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement typeOUTLINE DIMENSIONS2SK2190Case : E-packCase : ITO-3P(Unit : mm)(FP10W50VX2)500V 10AFEATURESInput capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small.The static Rds(on) is small.The switching time is fast.APPLICATIONSwitching power supply of AC 100V inputHigh vo

 7.1. Size:48K  shindengen
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FP10W50VX2

 9.1. Size:49K  shindengen
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FP10W50VX2

 9.2. Size:435K  shindengen
 fp10w90hvx2.pdf pdf_icon

FP10W50VX2

!SHINDENGENHVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement typeOUTLINE DIMENSIONS2SK2677Case : ITO-3P(Unit : mm)(FP10W90HVX2)900V 10AFEATURESInput capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small.The static Rds(on) is small.The switching time is fast.

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History: MMBF4119 | SM6A22NSF

 

 
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