Справочник MOSFET. FP10W50VX2

 

FP10W50VX2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FP10W50VX2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: ITO-3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FP10W50VX2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:263K  shindengen
2sk2190 fp10w50vx2.pdfpdf_icon

FP10W50VX2

SHINDENGENVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement typeOUTLINE DIMENSIONS2SK2190Case : E-packCase : ITO-3P(Unit : mm)(FP10W50VX2)500V 10AFEATURESInput capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small.The static Rds(on) is small.The switching time is fast.APPLICATIONSwitching power supply of AC 100V inputHigh vo

 7.1. Size:48K  shindengen
2sk1696 fp10w50c.pdfpdf_icon

FP10W50VX2

 9.1. Size:49K  shindengen
2sk1686 fp10w90.pdfpdf_icon

FP10W50VX2

 9.2. Size:435K  shindengen
fp10w90hvx2.pdfpdf_icon

FP10W50VX2

!SHINDENGENHVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement typeOUTLINE DIMENSIONS2SK2677Case : ITO-3P(Unit : mm)(FP10W90HVX2)900V 10AFEATURESInput capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small.The static Rds(on) is small.The switching time is fast.

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: WM02P60M2 | PMN70XPE | FDT459N | NTP2955 | 2N5912 | LR024N | SMK0460D

 

 
Back to Top

 


 
.