FQA12P20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQA12P20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 195 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.47 Ohm

Encapsulados: TO-3PN

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FQA12P20 datasheet

 ..1. Size:652K  fairchild semi
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FQA12P20

May 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQA12P20 200V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -12.6A, -200V, RDS(on) = 0.47 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 31 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 30 pF) This advanced technology has been

 9.1. Size:535K  fairchild semi
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FQA12P20

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQA12N60 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 12A, 600V, RDS(on) = 0.7 @ VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 42 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 25 pF) This advanced technology has been e

Otros transistores... FP7W90HVX2, FP8V50, FQA10N60C, FQA10N80, FQA10N80C, FQA11N90, FQA11N90C, FQA12N60, STF13NM60N, FQA13N50, FQA13N50C, FQA13N80, FQA14N30, FQA16N25C, FQA16N50, FQA17N40, FQA17P10