FQA12P20 Todos los transistores

 

FQA12P20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQA12P20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 195 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.47 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3PN
 

 Búsqueda de reemplazo de FQA12P20 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FQA12P20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:652K  fairchild semi
 fqa12p20.pdf pdf_icon

FQA12P20

May 2000TMQFETQFETQFETQFETFQA12P20200V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -12.6A, -200V, RDS(on) = 0.47 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 31 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 30 pF)This advanced technology has been

 9.1. Size:535K  fairchild semi
 fqa12n60.pdf pdf_icon

FQA12P20

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQA12N60600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 12A, 600V, RDS(on) = 0.7 @ VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 42 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 25 pF)This advanced technology has been e

Otros transistores... FP7W90HVX2 , FP8V50 , FQA10N60C , FQA10N80 , FQA10N80C , FQA11N90 , FQA11N90C , FQA12N60 , IRFZ24N , FQA13N50 , FQA13N50C , FQA13N80 , FQA14N30 , FQA16N25C , FQA16N50 , FQA17N40 , FQA17P10 .

History: GSM4948 | UPA2820T1S | FQA28N15F109 | FQA16N50 | HAT2215RJ | FSL9130R | FQA13N50C

 

 
Back to Top

 


 
.