FQA16N50 Todos los transistores

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FQA16N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQA16N50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 200 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 16 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5 V

Carga de compuerta (Qg): 60 nC

Tiempo de elevación (tr): 180 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 325 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.32 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-3P

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FQA16N50 Datasheet (PDF)

1.1. fqa16n50.pdf Size:749K _upd-mosfet

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April 2000 TM QFET QFET QFET QFET 500V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect • 16A, 500V, RDS(on) = 0.32Ω @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 60 nC) planar stripe, DMOS technology. • Low Crss ( typical 35 pF) This advanced technology has been

4.1. fqa16n25c.pdf Size:869K _upd-mosfet

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® QFET FQA16N25C 250V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect • 17.8A, 250V, RDS(on) = 0.27Ω @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 41 nC) planar stripe, DMOS technology. • Low Crss ( typical 68 pF) This advanced technology has been especially tailored to • F

 5.1. fqa160n08.pdf Size:781K _fairchild_semi

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September 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQA160N08 80V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 160A, 80V, RDS(on) = 0.007? @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 220 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 530 pF) This advanced technology has been especial

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