FQA33N10L Todos los transistores

 

FQA33N10L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQA33N10L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 163 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 470 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 305 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3P
 

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FQA33N10L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:644K  fairchild semi
 fqa33n10l.pdf pdf_icon

FQA33N10L

September 2000TMQFETQFETQFETQFETFQA33N10L100V LOGIC N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 36A, 100V, RDS(on) = 0.052 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 30 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 70 pF)This advanced technology

 6.1. Size:566K  fairchild semi
 fqa33n10.pdf pdf_icon

FQA33N10L

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQA33N10100V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 36A, 100V, RDS(on) = 0.052 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 38 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 62 pF)This advanced technology has been e

Otros transistores... FQA20N40 , FQA22P10 , FQA24N50F109 , FQA24N50F , FQA28N15F109 , FQA28N50F109 , FQA28N50F , FQA33N10 , IRF9640 , FQA34N20 , FQA34N20L , FQA34N25 , FQA35N40 , FQA36P15F109 , FQA44N08 , FQA44N10 , FQA46N15F109 .

History: OSG55R074FZF | APT10045B2LLG

 

 
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