FQAF70N15 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQAF70N15

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 420 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 840 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm

Encapsulados: TO-3PF

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FQAF70N15 datasheet

 ..1. Size:729K  fairchild semi
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FQAF70N15

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET N-ChanneI Power MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 44A, 150 V, RDS(on) = 0.028 @ VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 135 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 135 nC) This advanced technology ha

 9.1. Size:681K  fairchild semi
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FQAF70N15

March 2001 TM QFET FQAF7N90 900V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 5.2A, 900V, RDS(on) = 1.55 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 45 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 20 pF) This advanced technology has been especially tailored

 9.2. Size:766K  fairchild semi
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FQAF70N15

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET 800V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 5A, 800V, RDS(on) = 1.5 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 40 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 19 pF) This advanced technology has been esp

Otros transistores... FQAF44N08, FQAF44N10, FQAF47P06, FQAF58N08, FQAF5N90, FQAF65N06, FQAF6N80, FQAF6N90, 12N60, FQAF7N80, FQAF7N90, FQAF8N80, FQAF90N08, FQAF9N50, FQAF9P25, FQB10N20C, FQB10N20LTM