FQAF7N80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FQAF7N80
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 40 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3PF

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FQAF7N80

FQAF7N80 Datasheet (PDF)

..1. Size:766K fairchild semi
fqaf7n80.pdf

April 2000TMQFETQFETQFETQFET 800V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 5A, 800V, RDS(on) = 1.5 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 40 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 19 pF)This advanced technology has been esp

8.1. Size:681K fairchild semi
fqaf7n90.pdf

March 2001TMQFETFQAF7N90900V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 5.2A, 900V, RDS(on) = 1.55 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 45 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 20 pF)This advanced technology has been especially tailored

9.1. Size:729K fairchild semi
fqaf70n15.pdf

April 2000TMQFETQFETQFETQFET N-ChanneI Power MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 44A, 150 V, RDS(on) = 0.028 @ VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 135 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 135 nC)This advanced technology ha

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: