FQAF7N90 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FQAF7N90
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.55 Ohm
Encapsulados: TO-3PF
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FQAF7N90 datasheet
fqaf7n90.pdf
March 2001 TM QFET FQAF7N90 900V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 5.2A, 900V, RDS(on) = 1.55 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 45 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 20 pF) This advanced technology has been especially tailored
fqaf7n80.pdf
April 2000 TM QFET QFET QFET QFET 800V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 5A, 800V, RDS(on) = 1.5 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 40 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 19 pF) This advanced technology has been esp
fqaf70n15.pdf
April 2000 TM QFET QFET QFET QFET N-ChanneI Power MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 44A, 150 V, RDS(on) = 0.028 @ VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 135 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 135 nC) This advanced technology ha
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Liste
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