FQAF7N90 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FQAF7N90
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 45 nC
trⓘ - Время нарастания: 100 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.55 Ohm
Тип корпуса: TO-3PF
FQAF7N90 Datasheet (PDF)
fqaf7n90.pdf

March 2001TMQFETFQAF7N90900V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 5.2A, 900V, RDS(on) = 1.55 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 45 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 20 pF)This advanced technology has been especially tailored
fqaf7n80.pdf

April 2000TMQFETQFETQFETQFET 800V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 5A, 800V, RDS(on) = 1.5 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 40 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 19 pF)This advanced technology has been esp
fqaf70n15.pdf

April 2000TMQFETQFETQFETQFET N-ChanneI Power MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 44A, 150 V, RDS(on) = 0.028 @ VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 135 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 135 nC)This advanced technology ha
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: IXTP64N055T | NTD24N06 | 2SK3904 | SCT2H12NZ | FCH47N60F | WML10N80M3 | WST3034
History: IXTP64N055T | NTD24N06 | 2SK3904 | SCT2H12NZ | FCH47N60F | WML10N80M3 | WST3034



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DH060N07D | DH060N07B | DH060N03R | DH045N06I | DH045N06F | DH045N06E | DH045N06D | DH045N06B | DH045N06 | DH045N04P | DH045N04I | DH045N04F | DH045N04E | DH045N04D | DH045N04B | DH045N04
Popular searches
13005 transistor | ecg123a | irfp360 | bc108 equivalent | irfp4568 | mj15004 | ksc2073 | nte102a