FQAF9N50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FQAF9N50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.73 Ohm
Encapsulados: TO-3PF
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FQAF9N50 datasheet
fqaf9n50.pdf
April 2000 TM QFET QFET QFET QFET 500V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 7.2A, 500V, RDS(on) = 0.73 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 28 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 20 pF) This advanced technology has been
fqaf9p25.pdf
December 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQAF9P25 250V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -7.1A, -250V, RDS(on) = 0.62 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 29 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 27 pF) This advanced technology is e
fqaf90n08.pdf
January 2001 TM QFET QFET QFET QFET FQAF90N08 80V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 56A, 80V, RDS(on) = 0.016 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 84 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 200 pF) This advanced technology has been
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History: PHP6N10E | BUK964R2-55B | PHP6N60E
🌐 : EN ES РУ
Liste
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