FQB14N15 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FQB14N15
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 104 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 14.4 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 18 nC
   Tiempo de subida (tr): 90 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 115 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.21 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2-PAK

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FQB14N15 Datasheet (PDF)

..1. Size:748K fairchild semi
fqb14n15.pdf

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8.1. Size:926K fairchild semi
fqb14n30tm.pdf

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Liste

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