FQB14N15 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FQB14N15
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.21 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2-PAK

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FQB14N15 Datasheet (PDF)

..1. Size:748K fairchild semi
fqb14n15.pdf

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8.1. Size:926K fairchild semi
fqb14n30tm.pdf

October 2008QFETFQB14N30 / FQI14N30300V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 14.4A, 300V, RDS(on) = 0.29 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 30 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 23 pF)This advanced technology has been especi

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Liste

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