FQB14N15. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQB14N15

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm

Тип корпуса: D2-PAK

Аналог (замена) для FQB14N15

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQB14N15 даташит

 ..1. Size:748K  fairchild semi
 fqb14n15.pdf pdf_icon

FQB14N15

May 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQB14N15 / FQI14N15 150V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 14A, 150V, RDS(on) = 0.21 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 18 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 22 pF) This advanced technology h

 8.1. Size:926K  fairchild semi
 fqb14n30tm.pdf pdf_icon

FQB14N15

October 2008 QFET FQB14N30 / FQI14N30 300V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 14.4A, 300V, RDS(on) = 0.29 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 30 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 23 pF) This advanced technology has been especi

Другие IGBT... FQB12N60TMAM002, FQB12P10TM, FQB12P20TM, FQB13N06LTM, FQB13N06TM, FQB13N10LTM, FQB13N10, FQB13N50CTM, 18N50, FQB14N30TM, FQB15P12TM, FQB16N15TM, FQB16N25CTM, FQB16N25TM, FQB17N08LTM, FQB17N08TM, FQB17P06TM