FQB4P25TM Todos los transistores

 

FQB4P25TM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQB4P25TM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2-PAK
 

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FQB4P25TM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:580K  fairchild semi
 fqb4p25tm.pdf pdf_icon

FQB4P25TM

December 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB4P25 / FQI4P25250V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -4.0A, -250V, RDS(on) = 2.1 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 10 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 10.3 pF)This advanced techn

 9.1. Size:642K  fairchild semi
 fqb4p40tm fqb4p40 fqi4p40 fqi4p40tu.pdf pdf_icon

FQB4P25TM

August 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB4P40 / FQI4P40400V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -3.5A, -400V, RDS(on) = 3.1 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 18 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 11 pF)This advanced technolog

Otros transistores... FQB3P50TM , FQB46N15TMAM002 , FQB47P06TMAM002 , FQB4N20LTM , FQB4N20TM , FQB4N25TM , FQB4N50TM , FQB4N90TM , IRFB4115 , FQB4P40TM , FQB50N06LTM , FQB50N06TM , FQB55N06TM , FQB55N10TM , FQB5N15TM , FQB5N20LTM , FQB5N20TM .

History: 2SK1954 | NTMFS4835N | CS3N80A4 | IRFR3910PBF | IRFPS59N60C | SFB087N120C2

 

 
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