FQB4P25TM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQB4P25TM

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.1 Ohm

Encapsulados: D2-PAK

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FQB4P25TM datasheet

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FQB4P25TM

December 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQB4P25 / FQI4P25 250V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -4.0A, -250V, RDS(on) = 2.1 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 10 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 10.3 pF) This advanced techn

 9.1. Size:642K  fairchild semi
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FQB4P25TM

August 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQB4P40 / FQI4P40 400V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -3.5A, -400V, RDS(on) = 3.1 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 18 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 11 pF) This advanced technolog

Otros transistores... FQB3P50TM, FQB46N15TMAM002, FQB47P06TMAM002, FQB4N20LTM, FQB4N20TM, FQB4N25TM, FQB4N50TM, FQB4N90TM, P55NF06, FQB4P40TM, FQB50N06LTM, FQB50N06TM, FQB55N06TM, FQB55N10TM, FQB5N15TM, FQB5N20LTM, FQB5N20TM