IRFW550A Todos los transistores

 

IRFW550A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFW550A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 167 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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IRFW550A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:266K  fairchild semi
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IRFW550A

IRFW/I550AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.04 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 40 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD2-PAK I2-PAK 175 C Operating Temperature2A (Max.) @ VDS = 100V Lower Leakage Current : 10 Lower RDS(ON) : 0.032 (Typ.)112331. Gat

 ..2. Size:513K  samsung
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IRFW550A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.04 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 40 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature2 Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) : 0.032 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute

 9.1. Size:285K  1
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IRFW550A

 9.2. Size:282K  1
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IRFW550A

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History: IRFU9110

 

 
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