FQB5P20TM Todos los transistores

 

FQB5P20TM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQB5P20TM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2-PAK
 

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FQB5P20TM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:667K  fairchild semi
 fqb5p20tm.pdf pdf_icon

FQB5P20TM

May 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB5P20 / FQI5P20200V P-Channel MOSFETGeneral DescriptionThese P-Channel enhancement mode power field effectFeaturestransistors are produced using Fairchilds proprietary,planar stripe, DMOS technology. -4.8A, -200V, RDS(on) = 1.4 @VGS = -10 VThis advanced technology has been especially tailored to Low gate charge ( typical 10 n

 9.1. Size:653K  fairchild semi
 fqb5p10tm fqi5p10tu.pdf pdf_icon

FQB5P20TM

TMQFETFQB5P10 / FQI5P10100V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -4.5A, -100V, RDS(on) = 1.05 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 6.3 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 18 pF)This advanced technology has been especially tailore

Otros transistores... FQB5N40TM , FQB5N50CFTM , FQB5N50CTM , FQB5N50TM , FQB5N60CTM , FQB5N60TM , FQB5N90TM , FQB5P10TM , IRF9540N , FQB630TM , FQB65N06TM , FQB6N15TM , FQB6N25TM , FQB6N40CTM , FQB6N50 , FQB6N60CTM , FQB6N60TM .

History: STU5N52K3 | IXTM10N60 | SM6A24NSU | STD100NH02LT4 | TPCP8004 | RSM5853P | NCE65NF068LL

 

 
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