FQB5P20TM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FQB5P20TM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 75 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 4.8 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
   Carga de la puerta (Qg): 10 nC
   Tiempo de subida (tr): 70 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 75 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2-PAK

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FQB5P20TM Datasheet (PDF)

..1. Size:667K fairchild semi
fqb5p20tm.pdf

May 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB5P20 / FQI5P20200V P-Channel MOSFETGeneral DescriptionThese P-Channel enhancement mode power field effectFeaturestransistors are produced using Fairchilds proprietary,planar stripe, DMOS technology. -4.8A, -200V, RDS(on) = 1.4 @VGS = -10 VThis advanced technology has been especially tailored to Low gate charge ( typical 10 n

9.1. Size:653K fairchild semi
fqb5p10tm fqi5p10tu.pdf

TMQFETFQB5P10 / FQI5P10100V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -4.5A, -100V, RDS(on) = 1.05 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 6.3 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 18 pF)This advanced technology has been especially tailore

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History: LND06R062

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: