FQD18N20V2TF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FQD18N20V2TF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 20 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 133 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
   Paquete / Cubierta: D-PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FQD18N20V2TF

FQD18N20V2TF Datasheet (PDF)

..1. Size:748K fairchild semi
fqd18n20v2tf fqd18n20v2tm fqd18n20v2 fqu18n20v2.pdf

January 2009QFETFQD18N20V2 / FQU18N20V2200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 15A, 200V, RDS(on) = 0.14 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 20 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 25 pF)This advanced technology has been espec

3.1. Size:846K cn vbsemi
fqd18n20v2tm.pdf

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History: SIHFU9310

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: