FQD18N20V2TF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQD18N20V2TF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 133 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: D-PAK

Аналог (замена) для FQD18N20V2TF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQD18N20V2TF даташит

 ..1. Size:748K  fairchild semi
 fqd18n20v2tf fqd18n20v2tm fqd18n20v2 fqu18n20v2.pdf pdf_icon

FQD18N20V2TF

January 2009 QFET FQD18N20V2 / FQU18N20V2 200V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 15A, 200V, RDS(on) = 0.14 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 20 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 25 pF) This advanced technology has been espec

 3.1. Size:846K  cn vbsemi
 fqd18n20v2tm.pdf pdf_icon

FQD18N20V2TF

FQD18N20V2TM www.VBsemi.tw N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature 200 0.055 at VGS = 10 V 30 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Primary Side Switch D TO-252 G S G D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RA

Другие IGBT... FQD13N10TF, FQD13N10TM, FQD14N15TM, FQD16N15TM, FQD17N08LTF, FQD17N08LTM, FQD17P06TF, FQD17P06TM, IRFZ44N, FQD18N20V2TM, FQD19N10LTF, FQD19N10LTM, FQD19N10TF, FQD19N10TM, FQD1N50TF, FQD1N50TM, FQD1N60CTF