Справочник MOSFET. FQD18N20V2TF

 

FQD18N20V2TF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQD18N20V2TF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 133 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: D-PAK
 

 Аналог (замена) для FQD18N20V2TF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQD18N20V2TF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:748K  fairchild semi
 fqd18n20v2tf fqd18n20v2tm fqd18n20v2 fqu18n20v2.pdf pdf_icon

FQD18N20V2TF

January 2009QFETFQD18N20V2 / FQU18N20V2200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 15A, 200V, RDS(on) = 0.14 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 20 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 25 pF)This advanced technology has been espec

 3.1. Size:846K  cn vbsemi
 fqd18n20v2tm.pdf pdf_icon

FQD18N20V2TF

FQD18N20V2TMwww.VBsemi.twN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature2000.055 at VGS = 10 V 30 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchDTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RA

Другие MOSFET... FQD13N10TF , FQD13N10TM , FQD14N15TM , FQD16N15TM , FQD17N08LTF , FQD17N08LTM , FQD17P06TF , FQD17P06TM , IRFZ44N , FQD18N20V2TM , FQD19N10LTF , FQD19N10LTM , FQD19N10TF , FQD19N10TM , FQD1N50TF , FQD1N50TM , FQD1N60CTF .

History: AONH36334 | 2SK3433-ZJ | SSW65R099S2E | UT3N10G-TN3-R | STP6N60M2 | 2SK1215F | 12P10G-TN3-R

 

 
Back to Top

 


 
.