FQD18N20V2TM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQD18N20V2TM

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 133 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm

Encapsulados: D-PAK

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FQD18N20V2TM datasheet

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FQD18N20V2TM

January 2009 QFET FQD18N20V2 / FQU18N20V2 200V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 15A, 200V, RDS(on) = 0.14 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 20 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 25 pF) This advanced technology has been espec

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FQD18N20V2TM

FQD18N20V2TM www.VBsemi.tw N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature 200 0.055 at VGS = 10 V 30 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Primary Side Switch D TO-252 G S G D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RA

Otros transistores... FQD13N10TM, FQD14N15TM, FQD16N15TM, FQD17N08LTF, FQD17N08LTM, FQD17P06TF, FQD17P06TM, FQD18N20V2TF, IRF3205, FQD19N10LTF, FQD19N10LTM, FQD19N10TF, FQD19N10TM, FQD1N50TF, FQD1N50TM, FQD1N60CTF, FQD1N60CTM